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干刻蝕對(duì)于不同負(fù)載效應(yīng)造成選擇比差異導(dǎo)致的缺陷分析與解決方案
全部作者: 趙弘鑫 程秀蘭 第1作者單位: 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司 論文摘要: 在半導(dǎo)體制造工藝的干法刻蝕(Dry Etching)中,對(duì)于刻蝕薄膜表面面積大小的差異性會(huì)造成負(fù)載效應(yīng)(Loading effect)。然而這種負(fù)載效應(yīng)影響到干刻蝕的蝕刻率(Etch Rate)和選擇比(Selectivity)而在產(chǎn)品上出現(xiàn)嚴(yán)重的缺陷。本文闡述了負(fù)載效應(yīng)的基本原理和造成選擇比差異性的成因以及對(duì)于由此產(chǎn)生產(chǎn)品缺陷的具體解決方案。 關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體制造,干法刻蝕,負(fù)載效應(yīng),選擇比,缺陷 (瀏覽全文) 發(fā)表日期: 2008年04月30日 同行評(píng)議:
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