ddr4內(nèi)存頻率多少合適

　　DDR4內(nèi)存

　　我們知道DDR4內(nèi)存的起跳頻率為DDR42133MHz，在這里筆者將其定義為低頻內(nèi)存；而理論上超過(guò)DDR42133MHz頻率的內(nèi)存都可以稱(chēng)為高頻內(nèi)存，不過(guò)諸如DDR42400、2666MHz內(nèi)存相對(duì)DDR42133MHz提升幅度并不明顯，而且市面上也鮮有DDR42666這樣的內(nèi)存，所以筆者在這里將DDR43000MHz及其以上的內(nèi)存定義為高頻內(nèi)存，本次測(cè)試的高頻內(nèi)存頻率就為DDR43000MHz。

　　具體規(guī)格方面，低頻DDR42133MHz內(nèi)存時(shí)序?yàn)?5-15-15-362T，高頻DDR43000MHz內(nèi)存時(shí)序?yàn)?5-16-16-362T。測(cè)試的兩套內(nèi)存均為8GB*2雙通道組合。

　　測(cè)試平臺(tái)方面，為了最大限度減少平臺(tái)對(duì)內(nèi)存性能的發(fā)揮造成的瓶頸，測(cè)試使用了IntelZ170+Corei7-6700K處理器，CPU保持默認(rèn)頻率，搭配GeForceGTX960顯卡，顯卡核心和顯存頻率分別為1216/1279MHz和7012MHz。

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