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怎么在bios設置內(nèi)存條
CMOS中關于內(nèi)存的設置比較多，但不少選項是比較專業(yè)的，下面YJBYS小編逐條說明相關內(nèi)存設置。
Above1MBMemoryTest：設置開機自檢時是否檢測1M以上內(nèi)存。該選項已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開機時的大容量內(nèi)存自檢時間太長，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測可能也會出現(xiàn)允許/禁止開關。
AutoConfiguration：設置為允許時，BIOS按照最佳狀態(tài)設置。BIOS可以自動設置內(nèi)存定時，因此會禁止一些對內(nèi)存設置的修改，建議選擇允許方式。
MemoryTestTickSound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。
MemoryParityErrorCheck：設置是否要設置內(nèi)存奇偶校驗。多在30線內(nèi)存條使用時代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗內(nèi)存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。
CacheMemoryController：是否使用高速緩存。不在流行的AwardBIOS中使用。
ShadowRAMOption：設置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中�？梢约涌焖俣龋部赡茉斐伤罊C。
InternalCacheMemory：是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級緩存)�？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。
ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)�？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現(xiàn)，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。
ConcurrentRefresh：直譯是同時發(fā)生的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內(nèi)存同時刷新，可以提高系統(tǒng)性能。
DRAMReadWaitState：設置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設置更多的等待。
DRAMWriteWaitState：設置CPU向內(nèi)存寫數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設置更多的等待。
SlowRefresh：對質(zhì)量好的內(nèi)存，保持數(shù)據(jù)的時間比較長，可以設置更長的時間周期，從而提高系統(tǒng)性能。
ShadowCachecable：把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOSROM增加高速緩存，使性能更進一步。
PageMode：使內(nèi)存工作于PageMode或PageInterleaved模式。
RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內(nèi)存RAS周期，因此采用計數(shù)器來監(jiān)視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期自動復位為0。
MemoryRelocation：內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(UpperMemoryBlock)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲到1MB以上的擴展內(nèi)存中。
MemoryHole：有人稱作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設置成禁止，除非ISA擴展卡有專門的說明。
DRMATimingSetting：快頁內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無效。
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